Irfb4229 Irfb4229pbf Mosfet-Feldeffekttransistor

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Descrizione

Modello numero:	IRFB4229PBF
Struttura	Planare
Struttura di incapsulamento	Chip-transistor
Livello di potenza	Alta energia
Materiale	silicio
Polarità/Tipo di canale	Canale N
Numero del prodotto	Irfb4229pbf
Condizione	Nuovissimo e originale
Spedizione tramite	DHL\UPS\FedEx\EMS\HK PostDhl\UPS\FedEx\EMS\HK Post
Categoria	Transistor
Tecnologia	Mosfet
Pacchetto di trasporto	Rohr
specifica	Ferro e plastica
Origine	Can

Caratteristiche del prodotto

Grassetto	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Corrente – consumo continuo (Id) a 25°C	46A(Tc)
Tensione di comando (Rds massimo attivato, Rds minimo attivato)	10 V
Rds attivo (max) @ Id, Vgs	46 mOhm su 26 A, 10 V
Vgs(esimo) (Max) @ Id	5 V a 250 µA
Vg (massimo)	±30 V
Funzione GRASSETTO	-
Perdita di potenza (max.)	330 W(Tc)

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