Nuovo ed originale transistor ad effetto di campo in linea Irf1010npbf
Descrizione del prodotto: Resistenza allo stato di conduzione estremamente bassa, classificazione dv/dt dinamica, temper
Descrizione
Informazioni di base
Modello numero: | IRF1010N |
Struttura di incapsulamento | Chip-transistor |
Livello di potenza | Alta energia |
Materiale | silicio |
Numero del prodotto | Irf520npbf |
Descrizione | Mosfet N-CH 100V 9,7A bis220 |
Categoria | Mosfet |
Prodotto | Irf520 |
Pacchetto di trasporto | / |
specifica | / |
marchio | CHN |
Origine | Can |
Descrizione del prodotto
Resistenza operativa estremamente bassa, dv/dt dinamico, temperatura operativa 175°C, commutazione rapida, completamente certificato Avalanche
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